硬盤的主要性能參數

1.硬盤容量：

　  硬盤內部往往有多個疊起來的磁盤片，所以說硬盤（pán）容量=單碟容量×碟片數，單位為GB，硬盤容量當然是越大越好了，可以裝下更多的（de）數據。要特別說明的是，單碟容量對硬盤的性能（néng）也有一定的影響：單碟容量越大，硬盤的密度越高，磁頭在相同時間內可以讀取到更多的信息，這就意味著讀取速度得以提高。

2.轉速：

　　硬盤轉速（Rotationspeed）對硬盤的數（shù）據傳輸率有直接的影響，從理論（lùn）上說，轉速越快越好，因為較高的轉速可縮（suō）短硬盤的平均（jun1）尋道時間和實際讀寫時間，從而提高在硬盤（pán）上的讀寫速度；可任何（hé）事物都有兩麵性，在轉速提高的同時，硬盤的發熱量也會增加，它的穩定性就會有一定程度的降低。所（suǒ）以說我們應該在技術成熟的情況下，盡（jìn）量選（xuǎn）用（yòng）高轉速的硬盤。

3.緩存：

一般硬盤的平（píng）均訪（fǎng）問時間為十幾毫秒，但RAM（內（nèi）存）的速度要比硬盤快幾百倍。所以RAM通（tōng）常（cháng）會花（huā）大（dà）量的時間去（qù）等（děng）待硬盤讀出數據，從（cóng）而也（yě）使CPU效率下降。於是，人們采用了高速緩衝存儲器（又叫高速緩存）技術（shù）來解（jiě）決這個矛盾。　　簡單地說，硬（yìng）盤上的緩存容（róng）量是越（yuè）大越好（hǎo），大容量的緩存對提高硬盤速度很有（yǒu）好處，不過提高緩存容量就意味著成本上升。

4.平均尋道（dào）時間（averageseektime）：

意思是硬盤磁頭移動到數據所在磁道時（shí）所用的時間，單位為（wéi）毫秒（ms）。平均訪問（wèn）時間越短（duǎn）硬盤速度越快（kuài）。

5.硬盤的（de）數據傳輸率（Datatransferrate）：

也稱（chēng）吞吐率（lǜ），它表示在（zài）磁頭定位後，硬盤讀或寫數據的（de）速度。硬盤的數（shù）據傳輸率有兩個指標：

6.突發數據傳輸率（burstdatatransferrate）：

也稱為外部傳（chuán）輸率（externaltransferrate）或接口傳輸（shū）率，即微機係統總線與（yǔ）硬盤緩衝區之間的數據傳輸（shū）率。突發數據傳輸率與硬盤接口類型和硬盤緩衝區容量大小有（yǒu）關。

7.持續傳輸率（sustainedtransferrate）：

也稱為內部傳輸率（Internaltransferrate），它（tā）反映硬盤緩衝區未用時（shí）的（de）性能。內部（bù）傳輸率主（zhǔ）要依賴（lài）硬（yìng）盤的轉速。

8.控製電（diàn）路板:

上麵主要集成了用於（yú）調節硬盤盤片轉速的（de）主軸調速電路、控製磁頭的磁頭驅動與伺服電路和讀寫電路以（yǐ）及控製與接口電路等。除了這些保證硬盤基本功能的基（jī）礎電路以外，新式的硬盤上大多都（dōu）還有自己的專用電路，主要是提供S.M.A.R.T（Self- Monitoring，AnalysisandReportingTechnology自（zì）我監測、分析和（hé）報告（gào）係統）的支持和各（gè）廠商自己（jǐ）開發的提高（gāo）硬盤可靠性的技術的硬件上的支持。

此外，電路板上還有一塊類似於Bioses芯片作用的ROM。其中固化的程序（xù）可（kě）以在硬（yìng）盤加電以後自動執行（háng）啟動（dòng）主軸（zhóu）電機、初始化尋道、定位和（hé）自檢等一係列初始化動作。另外，硬（yìng）盤上也自帶了一（yī）定（dìng）數量的緩存（cún），其作用我們前（qián）麵已經介紹過。硬盤的控製芯片負責數（shù）據的交換和處理，是硬盤的核心部件之一。