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bioses裏麵各參數的中文意思是什麽(me)?

我(wǒ)要評論 2014/03/07 09:03:58 來源(yuán):綠色資源網 編輯:www.ynaad.com [ 小(xiǎo)] 評論:0 點擊:514次

Above1MBMemoryTest:設置開機自檢(jiǎn)時是否檢測1M以上內(nèi)存。該選(xuǎn)項已經在新的Bioses中被淘汰。由於內(nèi)存價格暴跌,電腦用(yòng)戶(hù)安裝內存容量陡然增加,開機時的大容量內存自檢時間太長,今後,即使一遍的內存檢(jiǎn)測可能也會出現允(yǔn)許(xǔ)/禁止開(kāi)關。

AutoConfiguration:設置(zhì)為允許時,Bioses按照最佳狀態設置。Bioses可(kě)以自動設置內存定時,因此會禁止一些對內存設置的修改,建議選擇允(yǔn)許方(fāng)式。

MemoryTestTickSound:是否發出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它(tā)煩,可(kě)以關閉它們。

MemoryParityErrorCheck:設置是否要設置內存(cún)奇偶校驗。多在30線內存條使用時代(dài),已經(jīng)被淘汰。但把(bǎ)非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。

CacheMemoryController:是否使用高速緩存。不在流行的AwardBioses中使用。

ShadowRAMOption:設置係統Bioses或(huò)顯示卡Bioses是(shì)否映射到(dào)常規內(nèi)存中。可以加(jiā)快速(sù)度,但也可能造成死機。

InternalCacheMemory:是否使用CPU內部緩存(一級緩(huǎn)存)。可以提(tí)高係統性能。

ExternalCacheMemory:是(shì)否使用CPU外部緩存(主板上的二級(jí)緩存)。可以提高係統性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現(xiàn),使主板上的二(èr)級緩存退居成三級緩存。

ConcurrentRefresh:直譯是同時發生(shēng)的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內(nèi)存同時(shí)刷新,可以提高係統性能。

DRAMReadWaitState:設置CPU從內存讀數據時的等待時鍾周期。在內存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

DRAMWriteWaitState:設(shè)置(zhì)CPU向(xiàng)內存寫數據(jù)時的等待時鍾周期。在內存比CPU慢時可以設置更(gèng)多(duō)的等待。

SlowRefresh:對質量好的內存,保持數據的時間比較長(zhǎng),可以設置更長的時間周(zhōu)期,從而提高係統性能。

ShadowCachecable:把映射到常規內存的BiosesROM增加高速緩存,使性能更進(jìn)一步。

PageMode:使內存工作於PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作速(sù)度(dù)更快。因為有可能會超過內存(cún)RAS周期,因此采用計數器來監視RAS周期,一旦超過RAS周(zhōu)期,則將周(zhōu)期自動複位為0。

MemoryRelocations:內存重新(xīn)定位。即將384的上位(wèi)內存(UpperMemoryBlock)數據轉儲到(dào)1MB以上的擴展內存(cún)中。

MemoryHole:有人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊(shū)的ISA擴展卡使用,可以加速該卡工作速度或避免衝突。一般被設置成禁止,除非ISA擴展(zhǎn)卡有專門的說明。

DRMATimingSetting:快頁內存或EDO內(nèi)存速度設置,通常是60ns或70ns選擇,對10ns或更(gèng)快(kuài)的(de)SDRAM內存無效。

FastMAtoRASDelay:設置內存地址(MemoryAddress)到內存行地址觸發信號(RAS)之間的延遲時間。

DRAMWriteBrustTiming:CPU把數據寫如高速緩存後,再寫如內存的延遲時間。

FastRASToCASDelay:行地址觸發信號到列地址觸發信號之間的延遲時間。通常是(shì)RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

DRAMLead-OffTiming:CPU讀/寫內存前的時間。

DRAMSpeculativeRead:設置成(chéng)允許時,讀內存的時間比正(zhèng)常時間提前一個時間周期,可以提高(gāo)係統性能。

DRAMDataIntegrityMode:選擇內存(cún)校驗方式是Parity或(huò)ECC。

RefreshRASAssertion:設(shè)置內存的行(háng)地址刷新時間周期,對(duì)質量好的內存可以延遲刷新,從(cóng)而提高係統性能。

RASRechargePeriod:內存行地址信號預先充電所需(xū)要(yào)的時間。

FastEDOPathSelect:設置選擇對EDO內存讀/寫(xiě)的快速途(tú)徑,可以提高係統性能。

SDRAMRASLatency:設置SDRAM內存的行(háng)地址觸發到列地址觸發(fā)的時間延遲。

SDRAMRASTiming:設置係統對SDRAM內存的行地址觸發時間,也即刷新時間。

PeerConcurrency:為提高係統並行,使CPU對高速緩存或內(nèi)存或PCI設備,或PCI的主控信號對PCI外圍設(shè)備等(děng)等(děng)操作同時進行。係統智能越(yuè)高,同CPU並行的操作越多,性能提高越多。

關鍵詞:bioses

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